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Optimización de los parámetros de crecimiento de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb fabricada por la técnica de epitaxia en fase líquida
(2013-02-01)
El crecimiento de una estructura cristalina epitaxial haciendo uso de la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) se puede desglosar en tres componentes procedimentales, la preparación de la solución líquida precursora, ...