Examinando por Autor "Universidad del Quindío - Colombia - Directora - Dra. Liliana Tirado Mejía"
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Publicación Restringido Estudio de la fotoluminiscencia de pozos cuánticos de Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs(2008-11-19) Segura Ruiz, Jaime A.; Universidad de Valencia - Colombia - Director - Dra. Núria Garro Martínez; Universidad del Quindío - Colombia - Directora - Dra. Liliana Tirado MejíaIn the last years, nitride III-V semiconductor alloys attract an increasing amount of attention due to their interesting optical properties and the related potencial for applications in various electronic and optoelectronic devices. The diluted quaternary alloy Ga1−xInxNyAs1−y is a promising material in the field of optical communications, expecting to provide efficient light emitters at the 1.3 and 1.55 μm low loss bands, and being lattice-matched to GaAs, which is desirable because allows to use the technology developed for this binary compound. It is known that N incorporation degrades the optical properties of diluted nitride semiconductor, due to an increasing density of non-radiative centers. In order to remove such defects, post-growth thermal annealing of the sample is necessary. The optical properties of Ga1−xInxNyAs1−y improve considerably after annealing but this also causes a large blueshift of the emission. In this work, we will study by photoluminescence, the optical properties of Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs single quantum wells, and the effect of post growth rapid thermal annealing in these properties. The studied samples are 7 nm-thick single quantum wells with y = 0.015 and x varying between 0.2 and 0.3 which undergo post growth rapid thermal annealing at 850 C for 15”. One of this samples also incorporates a GaInAs quantum well with identical In-concentration as the Ga1−xInxNyAs1−y. The photoluminescence (PL) of as-grown and annealed samples, measured as a function of temperature and excitation density, show that Ninduced localized states dominate the emission spectra at low temperature. The localization potential was calculated from the low energy tail of the emission, showing that thermal annealing reduces the localization grade in all these samples. In order to clarify the nature of low temperature emission, PL measurements as a function of the excitation power and under a magnetic field have been carried out. These results confirm that low temperature recombination is not excitonic and involves localized electrons and free holes.Publicación Restringido Estudio de la influencia del tiempo de crecimiento en la respuesta óptica de películas epitaxiales de GainAsSb sobre sustratos de GaSb por la técnica De fotoluminiscencia(2008-10-27) De los Ríos Londoño, Marianela; Universidad del Quindío - Colombia - Directora - Dra. Liliana Tirado Mejía; Universidad del Quindío - Colombia - Co-director - Dr. Hernando Ariza CalderónLas condiciones ambientales de los últimos años, al igual que la exigencia de nuevas tecnologías para la fabricación de materiales con mayor aplicabilidad, han llevado a buscar semiconductores y dispositivos de avanzada tecnología. Los semiconductores basados en GaSb han tenido un gran impacto por su gran aplicabilidad y versatilidad para trabajar en el rango de infrarrojo. Particularmente el Ga1-xInxAsySb1-y puede operar en un amplio rango espectral de 0.8 a 4.3 m [1,2], llevándolo a ser uno de los materiales más importantes de última generación para aplicaciones como analizadores de compuestos atmosféricos [3], generadores y celdas termofotovoltaicos[4,5], fotodetectores [6,7], acopladores de fibras ópticas[8], LED’s, láseres [9,10], contactos óhmicos de baja resistencia [11], entre otros. Esta tendencia ha llevado a los investigadores a estudiar las características ópticas, físicas y eléctricas de este material. El primer paso para examinarlo, es conocer el proceso de fabricación y su influencia en la respuesta óptica del semiconductor. En el proceso de fabricación existen muchas técnicas para crecer películas, pero la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) permite fabricar películas en compuestos III – V de muy buena calidad, lo que le proporciona una amplia aplicabilidad en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos, además de ser una técnica con una favorable relación costo-beneficio. Debido a sus características, al crecer películas por esta técnica se presentan gradientes de concentración en la dirección de crecimiento [12], razón por la cual consideramos importante conocer la respuesta óptica de películas crecidas en diferentes tiempos para analizar los cambios estructurales causados por las diferencias en la concentración.