Browsing DG. Maestría en Ciencias de los Materiales - CERRADA by Issue Date
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Caracterización óptica de materiales semiconductores cuaternarios III-V y de baja dimensionalidad II-VI
(Facultad de Ciencias Básicas y TecnologíasArmeniaCiencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2003-01-01)El estudio desarrollado en este trabajo de grado se centra en las propiedades ópticas, utilizando la técnica de fotorreflectancia, de nuevos materiales semiconductores, que surgen bien sea porque se forman heteroestructuras ... -
Caracterizacion por fotorreflectancia de películas epitaxiales cuaternarias Ga1-xInxAsySb1-y
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2004-09-23)Three Ga1¡xInxAsySb1¡y epitaxial thin films samples: x = 0:16; y = 0:11, x = 0:17; y = 0:14 and x = 0:17; y = 0:18, respectively, were studied by means of photoreflectance (PR) technique in order to determine the fundamental ... -
Estudio de pozos cuánticos de GaInAs/AlInAs por medio de la técnica de fotoluminiscencia en función de la temperatura
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2004-09-23)Gran parte de la investigación actual de la física del estado sólido está dedicada a estudiar las propiedades de conducción eléctrica de los materiales y de los dispositivos con ellos elaborados. Actualmente su fabricación ... -
Estudio de propiedades físicas del café por medio de espectroscopia fotoacustica
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2005-09-30)El café colombiano es muy estimado por su suavidad y sabor en el mundo. Dos variedades de la especie coffea Arabica: Colombia y Caturra son cultivados principalmente en Colombia. En esta investigación estudiamos la difusividad ... -
Caracterización óptica y estructural de multicapas de GaInAs/AlInAs con estructura de pozo cuántico
(Facultad de Ciencias Básicas y TecnologíasArmenia, QuindíoCiencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2005-12-15)En este trabajo se estudian algunos multipozos cuánticos de GaInAs/AlInAs utilizando las técnicas de fotoluminiscencia (PL) y microscopía de fuerza atómica. Dichas muestras fueron preparadas, previo a este trabajo, por la ... -
Estudio de la fotoluminiscencia de pozoscu ́anticos de Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs
(Universidad del Quindío - Quindío - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2006-02-24)Las propiedades f ́ısicas de los nitruros semiconductores del grupo III los con-vierten en excelentes candidatos para la fabricaci ́on de variados dispositivos op-toelectr ́onicos. El nitruro diluido cuaternario Ga1−xInxNyAs1−yen ... -
Optimización de un sistema de calorimetría a.c usando muestras de In Y M-AgI donde m es un ion alcalino
(Facultad de Ciencias Básicas y TecnologíasArmenia, QuindíoCiencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2006-03-08)La investigación en el área de las transiciones de fase ha tenido un gran desarrollo en las últimas décadas debido a su aplicación tecnológica. Recientemente, en el Instituto Interdisciplinario de las Ciencias, se implementó ... -
Influencia del espesor y de la morfología de películas ferritas en la respuesta magneto-óptica superficial a partir del efecto Kerr
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2006-03-24)En este trabajo se estudia el cambio de magnetizaci´on de medios multicapas en funcióndel espesor de la capa magnética. El cambio en la magnetización se observa a través del efecto Kerr magneto óptico -MOKE- donde el cambio ... -
Influencia del espesor y de la morfología de películas ferritas en la respuesta magneto-óptica superficial a partir del efecto Kerr
(Facultad de Ciencias Básicas y TecnologíasArmeniaCiencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2006-05-11)En este trabajo se estudia el cambio de magnetización de medios multicapas en función del espesor de la capa magnética. El cambio en la magnetización se observa a través del efecto Kerr magneto óptico -MOKE- donde el ... -
Caracterización óptica de materiales semiconductores cuaternarios III-V y de baja dimensionalidad II-VI
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2006-09-01)El estudio desarrollado en este trabajo de grado se centra en las propiedades ópticas, utilizando la técnica de fotorreflectancia, de nuevos materiales semiconductores, que surgen bien sea porque se forman heteroestructuras ... -
Estudio y caracterización de materiales usados en la conducción y radiación de ondas electromagnéticas en bandas decimétricas
(Facultad de Ciencias Básicas y TecnologíasArmeniaCiencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2007-02-09)El proceso de implementación de la técnica de caracterización involucró inicialmente un estudio de los métodos convencionales de medición de la permitividad compleja en materiales dieléctricos con bajas pérdidas y un ... -
Crecimiento de películas delgadas de Mn0.6Zn0,4Fe2O4 por medio de la técnica pulverización catódica “Sputtering”
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2007-03-30)En este trabajo se fabricaron y estudiaron películas de la ferrita de Mn-Zn a partir de un blanco que fue elaborado con la estequiometria Mn0.6Zn0,4Fe2O4 nominal. El blanco, para la fabricación de las películas por la ... -
Estudio de la respuesta óptica de películas de GainAsSb sometidas a ataque químico
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2008-09-05)La técnica de epitaxia en fase líquida es un método de fabricación de semiconductores de gran potencialidad para la creación de dispositivos que requieran áreas considerables, como en el caso de los fotodetectores. Además, ... -
Estudio de la influencia del tiempo de crecimiento en la respuesta óptica de películas epitaxiales de GainAsSb sobre sustratos de GaSb por la técnica De fotoluminiscencia
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2008-10-27)Las condiciones ambientales de los últimos años, al igual que la exigencia de nuevas tecnologías para la fabricación de materiales con mayor aplicabilidad, han llevado a buscar semiconductores y dispositivos de avanzada ... -
Estudio de defectos profundos en películas epitaxiales de AlxGa1-x As por la técnica de fotoluminiscencia en el infrarrojo
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2008-10-27)Las últimas investigaciones en optoelectrónica tratan sobre la búsqueda de una técnica económica y fidedigna para obtener dispositivos optoelectrónicos [1] integrados monolíticamente que presenten diferentes funcionalidades, ... -
Estudio de la fotoluminiscencia de pozos cuánticos de Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2008-11-19)In the last years, nitride III-V semiconductor alloys attract an increasing amount of attention due to their interesting optical properties and the related potencial for applications in various electronic and optoelectronic ... -
Estudio de los parámetros termofíscos y mecánicos de la “Guadua angustifolia Kunth”
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2010-10-01)En este trabajo, se presentan los parámetros térmicos, difusividad y efusividad térmica, y parámetros mecánicos, dureza Brinell, resistencia a la compresión y módulo de elasticidad de la guadua angustifolia Kunth. Éstos ... -
Optimización de los parámetros de crecimiento de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb fabricada por la técnica de epitaxia en fase líquida
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2013-02-01)El crecimiento de una estructura cristalina epitaxial haciendo uso de la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) se puede desglosar en tres componentes procedimentales, la preparación de la solución líquida precursora, ... -
Diseño y fabricación de un prototipo basado en ultrasonido para medir calidad de maderas
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2013-08-09)This paper describes the design and implementation of a computer-based ultrasound NDT hardwoods, useful for adequate inspection of architectural elements built in this material or for laboratory testing of samples that ... -
Caracterización de tejido vegetal de frutos de plátano mediante las técnicas de impedancia eléctrica y análisis bromatológico
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2014-08-05)The department of Quindío annually provides more than 300,000 tons of bananas in domestic production, constituting 15% of the local economy. In this work, the effect of ionic mobility on the ripening process in fruit and ...