Fabricación y caracterización de películas de ZnTe dopado con gadolinio crecidas sobre GaSb para aplicaciones en centellador de neutrones

Abstract

Zinc tellurium (ZnTe) is one of the semiconductor materials of the II - IV family that in recent years has had a great impact on the scientific community, due to its potential applications in radiation detection devices. The ZnTe is a direct energy gap semiconductor with an energy gap of 2,26 eV at room temperature, value that makes ZnTe a good candidate for optoelectronic and technological applications in which is require the emission of energy in the visible region of the electromagnetic spectrum. Furthermore, it has been reported applications in detection spectroscopy for energy photons (X-rays, gamma rays) and in medical imaging techniques.

El telurio de zinc (ZnTe) es uno de los materiales semiconductores de la familia II – IV que en los últimos años ha tenido un gran impacto en la comunidad científica por sus potenciales aplicaciones en dispositivos de detección de radiación. El ZnTe es un semiconductor con una brecha de energía directa de 2,26 eV a temperatura ambiente, ideal para aplicaciones optoelectrónicas y tecnológicas que requieran la emisión de energía en la región visible del espectro electromagnético. Además, se ha reportado su aplicación en espectroscopía de detección para fotones energéticos (rayos X, rayos gamma) y en técnicas médicas de imagen.