Estudio de defectos profundos en películas epitaxiales de AlxGa1-x As por la técnica de fotoluminiscencia en el infrarrojo

Abstract

Las últimas investigaciones en optoelectrónica tratan sobre la búsqueda de una técnica económica y fidedigna para obtener dispositivos optoelectrónicos [1] integrados monolíticamente que presenten diferentes funcionalidades, tales como láseres, moduladores, detectores switches y guías de onda para procesamiento de señales ópticas. Prácticamente se ha logrado una integración que logre un bajo costo con una alta fidelidad, incluso en presentaciones reducidas. Otro requerimiento principal es la compatibilidad en la brecha de energía entre los diferentes dispositivos optoelectrónicos [2]. La tendencia reciente es hacia nuevas aplicaciones de viejos materiales [2], para desarrollar nuevos materiales (ternarios y cuaternarios) y todo esto apuntando hacia el crecimiento de sistema de baja dimensionalidad (pozos, hilos y puntos cuánticos). Uno de los materiales más importantes en este sentido es nuestro material de estudio Alx Ga1-x As.[3].