Estudio por fotoluminiscencia de la homogeneidad de películas semiconductoras del cuaternario gainassb crecidas por epitaxia en fase líquida

Abstract

En este trabajo se presenta el estudio de la respuesta de fotoluminiscencia de sustratos de GaSb dopados con Telurio y no dopados, así como también, la respuesta óptica relacionada con los defectos de películas delgadas de GaInAsSb crecidas por el método de epitaxia en fase líquida, sobre los dos tipos de sustratos mencionados. Los resultados obtenidos en el material binario se utilizan en la interpretación de la respuesta óptica del material cuaternario. Las mediciones de fotoluminiscencia a baja temperatura (10 K) se realizaron en un intervalo de potencias de la radiación de excitación entre 20 y 700 mW. Los espectros obtenidos en este estudio fueron ajustados por medio de líneas Lorentzianas. Los sustratos dopados exhiben una banda ancha en la que están superpuestas varias recombinaciones, mientras que en los no dopados se identifican estructuras asociadas a recombinaciones banda-banda, recombinaciones excitónicas y recombinaciones banda-aceptor.