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Title: Análisis Fenomenológico del Crecimiento de Películas de Ga1-xInxAsySb1-y por la Técnica de Epitaxia en Fase Líquida
Authors: Gómez Cortés, José Fernando
Universidad del Quindío-Colombia-Director-Ph.D. Tirado Mejía Liliana
Issue Date: 9-Aug-2007
Abstract: El descubrimiento de los materiales semiconductores revolucionó la historia de la humanidad, ya que permitió la miniaturización y desarrollo de los más diversos dispositivos electrónicos, situación que promovió de manera vertiginosa el proceso de globalización. La tecnología basada en materiales semiconductores (electrónica de estado sólido) se inicia en 1947 con la invención del transistor de Silicio, elemento químico ubicado en el grupo IV de la tabla periódica y con el cual hoy en día se siguen desarrollando dispositivos electrónicos de gran aplicabilidad. Con el objetivo de ampliar el rango de aplicación y optimizar el desarrollo tecnológico en este campo, se inició la búsqueda de nuevos materiales semiconductores, situación que se tradujo en la implementación de diferentes técnicas para la fabricación de materiales cristalinos como el GaAs, aleación binaria entre elementos de los grupos III-V de la tabla periódica con apreciadas características electrónicas, y que por las cuales se inició el estudio y desarrollo de los llamados compuestos III-V.
URI: https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/3051
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