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dc.contributor.advisorAsesor: Nelson Porras M.spa
dc.contributor.authorSánchez C, Robertspa
dc.date.accessioned2017-11-15T16:08:47Zspa
dc.date.available2017-11-15T16:08:47Zspa
dc.date.issued2009-07-07spa
dc.identifier.urihttps://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/2889spa
dc.description.abstractLa respuesta óptica de estudios por fotorreflectancia y por fotoluminiscencia a 12K de una película de Ga1-xInxAsySb1-y crecida por epitaxia en fase líquida sobre un monocristal de GaSb como sustrato, no muestran el mismo valor de energía fundamental. El pico de fotoluminiscencia presenta corrimiento hacia mayores energies en 20 meV respecto a la respuesta por fotorreflectancia, indicando un posible confinamiento electrónico en algunas partes de la heteroestructura crecida.spa
dc.format.mimetypeapplication/pdfspa
dc.language.isospaspa
dc.rightsDerechos Reservados - Universidad del Quindíospa
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/spa
dc.titleEstudio De Transiciones Ópticas De Excitones Confinados En Puntos Cuánticos Esféricos En Películas De Ga1-X Inx Asy Sb1-Y/Gasb Fabricadas Por Epitaxia En Fase Líquidaspa
dc.typeTrabajo de grado - Pregradospa
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/closedAccessspa
dc.rights.creativecommonsAtribución 4.0 Internacional (CC BY 4.0)spa
dc.subject.proposalPeliculas Epitaxia Liquidaspa
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1fspa
dc.type.driverinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisspa
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/acceptedVersionspa
dc.description.degreelevelPregradospa
dc.description.degreenameMagíster en Ciencias de los Materialesspa
dc.publisher.facultyCiencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materialesspa
dc.type.contentTextspa
dc.type.redcolhttps://purl.org/redcol/resource_type/TPspa
dc.type.coarversionhttp://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aaspa
dc.rights.coarhttp://purl.org/coar/access_right/c_14cbspa


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