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Title: Estudio de la fotoluminiscencia de pozos cu´anticos de Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs
Authors: Segura R., Jaime
Asesores: Nuria Garro M. y Liliana Tirado M.
Issue Date: 22-Jan-2009
Abstract: Las propiedades f´ısicas de los nitruros semiconductores del grupo III los convierten en excelentes candidatos para la fabricaci´on de variados dispositivos optoelectr ´onicos. El nitruro diluido cuaternario Ga1−xInxNyAs1−y en particular, ha suscitado un creciente inter´es en el ´area de las comunicaciones ´opticas, con miras a la fabricaci´on de emisores y detectores en el rango en el cual las tecnolog´ıas de fibras ´opticas existentes presentan unas p´erdidas m´ınimas (1.3 y 1.55μm).
URI: https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/2887
Appears in Collections:IA. Trabajos de Grado Periodo 2010 y Anteriores

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