Please use this identifier to cite or link to this item: https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/250
Title: Estudio De Defectos Profundos En Peliculas Epitaxiales De AlxGa1-x As Por La Tecnica De Fotoluminiscencia En El Infrarrojo
Authors: Agudelo Mesa, Jhon A.
Universidad del Quindío - Gerardo Fonthal - Director
Keywords: Fotoluminiscencia
Infrarrojo
AlxGa1-x As
Películas Epitaxiales
Issue Date: 27-Oct-2008
Abstract: Las últimas investigaciones en optoelectrónica tratan sobre la búsqueda de una técnica económica y fidedigna para obtener dispositivos optoelectrónicos [1] integrados monolíticamente que presenten diferentes funcionalidades, tales como láseres, moduladores, detectores switches y guías de onda para procesamiento de señales ópticas. Prácticamente se ha logrado una integración que logre un bajo costo con una alta fidelidad, incluso en presentaciones reducidas. Otro requerimiento principal es la compatibilidad en la brecha de energía entre los diferentes dispositivos optoelectrónicos [2]. La tendencia reciente es hacia nuevas aplicaciones de viejos materiales [2], para desarrollar nuevos materiales (ternarios y cuaternarios) y todo esto apuntando hacia el crecimiento de sistema de baja dimensionalidad (pozos, hilos y puntos cuánticos). Uno de los materiales más importantes en este sentido es nuestro material de estudio Alx Ga1-x As.[3].
URI: https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/250
Appears in Collections:DGA. Monografías, Tesis y Trabajos de Grado

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Tesis Alexander Agudelo.pdf1.7 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy


This item is protected by original copyright



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.