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Title: Estudio de la fotoluminiscencia de pozos cu´anticos de Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs
Authors: Segura Ruiz, Jaime A.
Universidad de Valencia - Núria Garro Martínez - Directora
Universidad del Quindío - Liliana Tirado Mejía - Codirectora
Keywords: Fotoluminiscencia
Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs
Pozos cuánticos
Issue Date: 19-Nov-2008
Abstract: Las propiedades físicas de los nitruros semiconductores del grupo III los convierten en excelentes candidatos para la fabricación de variados dispositivos optoelectr ónicos. El nitruro diluido cuaternario Ga1−xInxNyAs1−y en particular, ha suscitado un creciente interés en el área de las comunicaciones ópticas, con miras a la fabricación de emisores y detectores en el rango en el cual las tecnologías de fibras ópticas existentes presentan unas pérdidas mínimas (1.3 y 1.55μm). La ventaja de este material cuaternario es que tiene coincidencia de red con el GaAs, lo que permite aprovechar toda la tecnología desarrollada para la fabricación de este material binario. Es sabido que las propiedades ópticas de los nitruros diluidos se degradan con la incorporación de N, debido a un aumento en la densidad de centros de recombinación no-radiativos. Para eliminar tales defectos, el material es sometido a un tratamiento de recocido térmico después de su fabricación que, además de generar una notable mejora de sus propiedades ópticas, origina un marcado corrimiento de la emisión hacia el azul. En este trabajo, estudiaremos por fotoluminiscencia, las propiedades ópticas de pozos cuánticos de Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs, y el efecto que tiene sobre ´estas el tratamiento de recocido térmico rápido. Las muestras estudiadas son pozos cuánticos sencillos de 7 nm de espesor, con y = 0.015 y x variando entre 0.2 y 0.3. Las muestras fueron sometidas a un recocido termico rápido a 850 C durante 15”. Una de estas muestras, incorpora además un pozo cuántico de GaInAs con la misma concentración de In que tiene el pozo cuántico de Ga1−xInxNyAs1−y. La PL de las muestras con y sin recocido, medidas en función de la la densidad de excitación y la temperatura, muestran que la emisión de los pozos cuánticos a baja temperatura es dominada por los estados localizados inducidos por el N. Los potenciales de localización fueron calculados a partir del análisis de la asimetría a bajas energías de los espectros de fotoluminiscencia y muestran que el recocido reduce el grado de localización en todas las muestras. Con el ´animo de aclarar la naturaleza de la emisión a baja temperatura, se hicieron medidas de PL bajo campo magnético. Los resultados confirman que la recombinación a baja temperatura no es excitónica y que involucra electrones localizados y huecos libres.
URI: http://uquindio-dspace.metabiblioteca.com/handle/001/247
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