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dc.contributor.authorMarín Hurtado, Jorge Iván-
dc.date.accessioned2017-05-11T20:10:24Z-
dc.date.available2017-05-11T20:10:24Z-
dc.date.issued2004-09-23-
dc.identifier.urihttps://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/553-
dc.description.abstractPor medio de la técnica de fotorreflectancia (FR) en el infrarrojo cercano y medio, se estudi´o la transición fundamental E0 de tres series de pelíıculas epitaxiales de Ga1-x Inx Asy Sb1-y con las siguientes estequiometrias: x = 0:16; y = 0:11, x = 0:17; y = 0:14 y x = 0:17; y = 0:18; en el rango de temperaturas de 12K · T · 250K. Las muestras fueron fabricadas por medio de la técnica de epitaxia en fase líquida sobre sustratos de GaSb : Te (100). Por la forma de los espectros de FR, se encuentra que los muestras bajo estudio presentan una alta calidad cristalina. Así mismo, para la mayoría de las temperaturas, los espectros experimentales pudieron ser descritos por medio de una forma línea de tercera derivada de la función dieléctrica (TDLF), que ajustada con el modelo de Aspnes para un punto crítico 3DM0, permitieron encontrar los valores de los parámetros E0, energía de la transición fundamental, y ¡, parámetro fenomenológico de ensanchamiento. Por otra parte, las mediciones a baja temperatura de la película Ga0:83In0:17As0:14Sb0:86 presentan dos contribuciones predominantes, encontrándose que conforme aumenta la temperatura la oscilación de alta energía desaparece. Suponemos que este comportamiento es debido al degeneramiento de la banda de valencia como consecuencia de tensiones inducidas en el material por defectos estructurales. Se analizan las dependencias con la temperatura de la energía de la transición fundamental con los modelos de: Varshni, Viña y Manoogian-Wolley (M-W); encontr´andose a baja temperatura una mejor descripci´on con estos dos últimos modelos. Para la dependencia del parámetro de ensanchamiento con la temperatura se encuentra una temperatura asociada al fonón promedio participante cercana a los modos vibracionales asociados al modo mixto GaSb+InAs LO del GaInAsSb/GaSb medidos por Raman, los cuales se corresponden a sus homólogos de las expresiones para E0(T) de los modelos de Viña y M-W.spa
dc.description.tableofcontents1 Introducción 9 2 Materiales cuaternarios Ga1¡xInxAsySb1¡y 11 2.1 Generalidades de los materiales cuaternarios . . . . . . . . . . . . . . . . 11 2.2 Características del Ga1¡xInxAsySb1¡y . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 2.2.1 Estructura electrónica de bandas . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 2.2.2 Características del Ga1¡xInxAsySb1¡y=InP . . . . . . . . . . . . 15 2.2.3 Características del Ga1¡xInxAsySb1¡y=InAs . . . . . . . . . . . . 15 2.2.4 Características del Ga1¡xInxAsySb1¡y=GaSb . . . . . . . . . . . . 16 2.2.5 Energ´ıa de la transici´on fundamental en el rango completo de concentraciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 2.2.6 Dependencia de la energía de la transición fundamental con la temperatura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 2.3 Fabricación de las muestras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 3 T´ecnica de fotorreflectancia 24 3.1 Interpretación de los espectros de las técnicas de reflectividad modulada . 25 3.1.1 La función dieléctrica en las técnicas de reflectividad modulada . 25 3.1.2 Puntos críticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 3.2 Fotorreflectancia de régimen de campo bajo . . . . . . . . . . . . . . . . 29 3.3 Fotorreflectancia de régimen de campo medio - Oscilaciones Franz-Keldysh 32 3.4 Otros tipos de estructura presente en los espectros de fotorreflectancia en la vecindad de la brecha . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 3.4.1 Transiciones por debajo de la energía de la brecha . . . . . . . . . 33 3.4.2 Transiciones por encima de la energía de la brecha . . . . . . . . . 33 3.5 Estudios por fotorreflectancia de Ga1-xInxAsySb1-y . . . . . . . . . . 34 4 Resultados experimentales 36 5 Análisis y Discusión de Resultados 44 5.1 Dependencia de la energ´ıa de la transici´on fundamental con la temperatura 44 5.2 Modelamiento de las curvas experimentales de Eo(T) . . . . . . . . 51 4 ´INDICE GENERAL 5.3 Dependencia del parámetro de ensanchamiento de la transición fundamental con la temperatura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52 5.4 Naturaleza de las oscilaciones de alta energía presentes en los espectros de fotorreflectancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56spa
dc.format.mimetypeapplication/pdfspa
dc.language.isospaspa
dc.rightsDerecho Reservado - Universidad del Quindío,2004spa
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/spa
dc.subjectFOTORREFLECTANCIAspa
dc.subjectPELÍCULAS EPITAXIALESspa
dc.subjectGa1-xInxAsySb1-yspa
dc.subjectCARACTERIZACIÓNspa
dc.titleCaracterizacion por fotorreflectancia de películas epitaxiales cuaternarias Ga1-xInxAsySb1-yspa
dc.typeTrabajo de grado - Maestríaspa
dc.contributor.roleUniversidad del Quindío - Colombia - Director - Hernando Ariza Calderón Ph.D.spa
dc.description.abstractenglishThree Ga1¡xInxAsySb1¡y epitaxial thin films samples: x = 0:16; y = 0:11, x = 0:17; y = 0:14 and x = 0:17; y = 0:18, respectively, were studied by means of photoreflectance (PR) technique in order to determine the fundamental band-gap E0 at temperature ranging from 12 to 250K. The samples were grown by liquid phase epitaxy (LPE) on GaSb : Te (100) substrates. The PR spectra allow identify a high quality quaternary thin films. These spectra are well-described by a single third derivate lorentzian form (TDLF) related to a 3DM0 critical point with a low broadening parameter (6¡8meV ). For the Ga0:83In0:17As0:14Sb0:86 sample, the PR spectra shows two lineshapes at low temperatures which disappear at increasing temperature. This behavior is explained by the degeneration of valence band induced by internal strain due to lattice deffects. The temperature dependence of band-gap energy were fitted to Varshni, Vi˜na and Manoogian- Wolley (M-W) expressions founding, at low temperatures, a best fitting with Vi˜na and M-W models. Finally, from the temperature dependence of broadening parameter, we found a phonon temperature closed to mixed-mode GaSb+InAs LO phonon frequencies measured to GaInAsSb/GaSb by Raman spectroscopy. These values agree to phonon temperatures obtained by Vi˜na and M-W models.spa
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessspa
dc.rights.creativecommonsAtribuciónspa
dc.thesis.disciplineCiencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materialesspa
dc.thesis.levelMaestríaspa
dc.thesis.nameMagíster en Ciencias de los Materialesspa
dc.type.dcmi-type-vocabularyTextspa
dc.type.driverinfo:eu-repo/semantics/masterThesisspa
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/acceptedVersionspa
Appears in Collections:DGA. Monografías, Tesis y Trabajos de Grado

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