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    • Estudio de las propiedades térmicas y ópticas de materiales semiconductores mediante espectroscopías fototérmicas 

      Tirado Mejía, Liliana (Ciencias Básicas y Tecnologías - Instituto Interdisciplinario de las Ciencias, 2002-03-05)
      A través de todo el desarrollo del proyecto, se realizó una continua revisión bibliográfica con el fin de mantener una actualización en el campo de la fotoacústica. Las revistas actualizadas con las que contamos en el ...
    • Estudio por fotoluminiscencia de la homogeneidad de películas semiconductoras del cuaternario gainassb crecidas por epitaxia en fase líquida 

      Cárdenas Valencia, Carlos Andrés (Facultad de Ciencias Básicas y TecnologíasArmenia - QuindíoCiencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2005-02-13)
      En este trabajo se presenta el estudio de la respuesta de fotoluminiscencia de sustratos de GaSb dopados con Telurio y no dopados, así como también, la respuesta óptica relacionada con los defectos de películas delgadas ...

      Envíos recientes

      • Estudio de las propiedades térmicas y ópticas de materiales semiconductores mediante espectroscopías fototérmicas

        ...

        Tirado Mejía, Liliana | 2002-03-05

        A través de todo el desarrollo del proyecto, se realizó una continua revisión bibliográfica con el fin de mantener una actualización en el campo de la fotoacústica. Las revistas actualizadas con las que contamos en el Laboratorio de Optoelectrónica son Physical Review B, Journal of Applied Physics y Applied Physics Letter. También se hizo consulta bibliográfica en la base de datos de la Universidad de Barcelona; se solicitó la adquisición de los libros Handbook of Crystal Growth, Semiconductors and Semimetals y Modern Problems in Condensed Matter.

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      • Estudio por fotoluminiscencia de la homogeneidad de películas semiconductoras del cuaternario gainassb crecidas por epitaxia en fase líquida

        ...

        Cárdenas Valencia, Carlos Andrés | 2005-02-13

        En este trabajo se presenta el estudio de la respuesta de fotoluminiscencia de sustratos de GaSb dopados con Telurio y no dopados, así como también, la respuesta óptica relacionada con los defectos de películas delgadas de GaInAsSb crecidas por el método de epitaxia en fase líquida, sobre los dos tipos de sustratos mencionados. Los resultados obtenidos en el material binario se utilizan en la interpretación de la respuesta óptica del material cuaternario. Las mediciones de fotoluminiscencia a baja temperatura (10 K) se realizaron en un intervalo de potencias de la radiación de excitación entre 20 y 700 mW. Los espectros obtenidos en este estudio fueron ajustados por medio de líneas Lorentzianas. Los sustratos dopados exhiben una banda ancha en la que están superpuestas varias recombinaciones, mientras que en los no dopados se identifican estructuras asociadas a recombinaciones banda-banda, recombinaciones excitónicas y recombinaciones banda-aceptor.

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