DGA. Monografías, Tesis y Trabajos de Grado
https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/76
2024-03-28T14:23:50ZCaracterización óptica mediante la técnica de fotoluminiscencia de Silicio Posoro
https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/4577
Caracterización óptica mediante la técnica de fotoluminiscencia de Silicio Posoro
Medina Herrera, Andrés
Porous silicon shows an efficient luminescence on the visible range at room temperature, unlike crystalline silicon which has a low radiant recombination efficiency due to the indirect energy band gap. The emission mechanisms of the porous silicon have not been explained yet, although they have been mentioned in different theories; among the most accepted is the emission due to transitions between quantic confinement states and the emission due to the transitions that occur in the oxide layer (SiOx) present on the surface taking into account the increase in the surface area.; El silicio poroso exhibe luminiscencia eficiente en el rango visible a temperatura ambiente, a diferencia del silicio cristalino que posee una baja eficiencia de recombinación radiante por tener una brecha de energía indirecta. Los mecanismos de emisión del silicio poroso no han sido aún explicados, aunque se han propuesto diversas teorías; entre las más aceptadas se encuentran la emisión debida a transiciones entre estados con confinamiento cuántico y la emisión debida a transiciones que se dan en la capa de óxido (SiOx) presente en la superficie, teniendo en cuenta el aumento del área superficial.
2017-12-12T00:00:00ZFabricación y caracterización de películas de ZnTe dopado con gadolinio crecidas sobre GaSb para aplicaciones en centellador de neutrones
https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/4575
Fabricación y caracterización de películas de ZnTe dopado con gadolinio crecidas sobre GaSb para aplicaciones en centellador de neutrones
López Ortiz, Jeison Daniel
Zinc tellurium (ZnTe) is one of the semiconductor materials of the II - IV family that in recent years has had a great impact on the scientific community, due to its potential applications in radiation detection devices. The ZnTe is a direct energy gap semiconductor with an energy gap of 2,26 eV at room temperature, value that makes ZnTe a good candidate for optoelectronic and technological applications in which is require the emission of energy in the visible region of the electromagnetic spectrum. Furthermore, it has been reported applications in detection spectroscopy for energy photons (X-rays, gamma rays) and in medical imaging techniques.; El telurio de zinc (ZnTe) es uno de los materiales semiconductores de la familia II – IV que en los últimos años ha tenido un gran impacto en la comunidad científica por sus potenciales aplicaciones en dispositivos de detección de radiación. El ZnTe es un semiconductor con una brecha de energía directa de 2,26 eV a temperatura ambiente, ideal para aplicaciones optoelectrónicas y tecnológicas que requieran la emisión de energía en la región visible del espectro electromagnético. Además, se ha reportado su aplicación en espectroscopía de detección para fotones energéticos (rayos X, rayos gamma) y en técnicas médicas de imagen.
2017-11-08T00:00:00ZModelado numérico tridimensional de celdas solares con estructura Cu(In,Ga)Se2
https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/642
Modelado numérico tridimensional de celdas solares con estructura Cu(In,Ga)Se2
Londoño Martínez, Alejandro
En este trabajo se realizó un estudio de las celdas solares de película delgada de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) con el fin de establecer por qué su baja cristalinidad, sin embargo, no representa un obstáculo para que sean las más eficientes en su género en todo el mercado sino también unas de las más económicas del mismo; por tal razón, mediante el software Comsol Multiphysics se simuló el modelo físico de carácter tridimensional propuesto en este trabajo para una celda solar CIGS, el cual está basado en las ecuaciones que describen el comportamiento de los portadores de carga en un material semiconductor a saber, la ecuación estacionaria de Poisson y las ecuaciones de continuidad, teniendo en cuenta las corrientes de difusión y arrastre, teniendo en cuenta que el software COMSOL utiliza para la simulación tridimensional el método de discretización de Sharfetter-Gummel y el de diferencias finitas, empleando una malla rectangular que finalmente logra resolver el mencionado sistema de ecuaciones por la técnica de Newton Raphson.
La solución de tal sistema de ecuaciones diferenciales para parámetros predeterminados para el potencial electrostático , la concentración de electrones n y la concentración de huecos p, permitió obtener, relacionar y variar parámetros de las celdas solares CIGS que no se pueden obtener mediante primeros principios como eficiencia cuántica interna, curva de voltaje-corriente, factor de llenado, densidad de corriente de corto circuito, voltaje de circuito abierto, energía de defectos y radio de la sección de captura.
El análisis de las curvas obtenidas, la variación de los parámetros del modelo y sus respectivas relaciones principales permitieron corroborar que las celdas solares CIGS, presentan altas eficiencias en comparación con las otras celdas de película delgada, independientemente de la tridimensionalidad del modelo simulado, sin embargo, se encontró que la eficiencia CIGS obtiene sus más altos valores para energías de defectos de 290meV por encima de la banda de valencia y para un área de sección de captura del orden de 10-15cm2, lo que aproxima la policristalinidad de la celda CIGS al caso monocristalino.
2016-07-20T00:00:00ZEstudio de la influencia del tiempo de crecimiento en la respuesta óptica de películas epitaxiales de GainAsSb sobre sustratos de GaSb por la técnica De fotoluminiscencia
https://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/286
Estudio de la influencia del tiempo de crecimiento en la respuesta óptica de películas epitaxiales de GainAsSb sobre sustratos de GaSb por la técnica De fotoluminiscencia
De los Ríos Londoño, Marianela
Las condiciones ambientales de los últimos años, al igual que la exigencia de nuevas tecnologías para la fabricación de materiales con mayor aplicabilidad, han llevado a buscar semiconductores y dispositivos de avanzada tecnología. Los semiconductores basados en GaSb han tenido un gran impacto por su gran aplicabilidad y versatilidad para trabajar en el rango de infrarrojo. Particularmente el Ga1-xInxAsySb1-y puede operar en un amplio rango espectral de 0.8 a 4.3 m [1,2], llevándolo a ser uno de los materiales más importantes de última generación para aplicaciones como analizadores de compuestos atmosféricos [3], generadores y celdas termofotovoltaicos[4,5], fotodetectores [6,7], acopladores de fibras ópticas[8], LED’s, láseres [9,10], contactos óhmicos de baja resistencia [11], entre otros. Esta tendencia ha llevado a los investigadores a estudiar las características ópticas, físicas y eléctricas de este material. El primer paso para examinarlo, es conocer el proceso de fabricación y su influencia en la respuesta óptica del semiconductor. En el proceso de fabricación existen muchas técnicas para crecer películas, pero la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) permite fabricar películas en compuestos III – V de muy buena calidad, lo que le proporciona una amplia aplicabilidad en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos, además de ser una técnica con una favorable relación costo-beneficio. Debido a sus características, al crecer películas por esta técnica se presentan gradientes de concentración en la dirección de crecimiento [12], razón por la cual consideramos importante conocer la respuesta óptica de películas crecidas en diferentes tiempos para analizar los cambios estructurales causados por las diferencias en la concentración.
2008-10-27T00:00:00Z