• Estudio de la fotoluminiscencia de pozoscu ́anticos de Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs 

      Reyes Arango, Jaime A. (Universidad del Quindío - Quindío - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2006-02-24)
      Las propiedades f ́ısicas de los nitruros semiconductores del grupo III los con-vierten en excelentes candidatos para la fabricaci ́on de variados dispositivos op-toelectr ́onicos. El nitruro diluido cuaternario Ga1−xInxNyAs1−yen ...